射频功率放大器是5G基站中不可或缺的组成部件，通常会被设计成模块安装在整机中，尽可能的减少对其他部件的影响。由于射频功率放大器在进行持续高速的工作时，射频功率放大器内会产生大量热量，而常规的射频功率放大器在工作过程中不能够进行快速稳定的散热工作，进而不能确保后续持续工作的稳定性，如果通过开孔进行散热，则散热效率低，且外界空气中的杂质与灰尘容易堵塞散热孔。

       随着电力电子装置的小型化发展以及功率密度的提高，设备的温度对其安全可靠运行影响很大。由于功率器件的失效率随器件温度呈指数关系增长，在实际工作中可能会因为热量不能及时排出或分布不均导致器件温度过高甚至烧毁，影响电路的可靠性和寿命。同时，功率器件的热性能也对功率放大器的输出失真有一定的影响。

       射频功放的发热量较高，一般芯片底部会直接焊到金属基板上进行散热，芯片顶部与设备外壳之间则利用导热硅胶片来填充，形成连续的导热通路。导热系数从1.2~25.0W/mK；防火等级UL94V0；多种厚度硬度选择：0.5mm-5.0mm；使用温度范围：-40 To 160 ℃。软性导热硅胶片在一定的压缩下满足缝隙填充的需求，保持导热性能不变，可迅速的将热量传导至外壳，达到一个很好的散热目的。